[发明专利]用于多层结构的层间连接件有效
| 申请号： | 201410431597.5 | 申请日： | 2014-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN104658999B | 公开（公告）日： | 2019-08-23 |
| 发明（设计）人： | 林以唐;万幸仁;陈能国 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了用于制造半导体器件结构的系统和方法。一种示例性半导体器件结构包括第一器件层、第二器件层和层间连接结构。第一器件层包括第一导电层和在第一导电层上形成的第一介电层，第一器件层形成在衬底上。第二器件层包括第二导电层，第二器件层形成在第一器件层上。层间连接结构包括一种或多种导电材料并且配置为电连接至第一导电层和第二导电层，层间连接结构穿过至少部分第一介电层。第一导电层配置为电连接至第一器件层内的第一半导体器件的第一电极结构。本发明还涉及用于多层结构的层间连接件。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 多层 结构 连接 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件结构，包括：衬底；第一器件层，包括第一导电层和在所述第一导电层上形成的第一介电层，所述第一器件层形成在所述衬底上；第二器件层，包括第二导电层，所述第二器件层形成在所述第一器件层上；以及第一层间连接结构，包括一种或多种导电材料并且配置为电连接至所述第一导电层和所述第二导电层，所述第一层间连接结构穿过至少部分所述第一介电层；其中，所述第一器件层内的第一半导体器件包括第一晶体管，所述第一晶体管包括沉积在第一沟道上方的第一栅电极结构；其中，所述第一导电层是所述第一栅电极结构横向延伸超越所述第一沟道的部分，所述第一层间连接结构在所述第一导电层的部分上，不在所述第一沟道正上方的区域处的所述第一导电层上。
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