[发明专利]半导体结构的形成方法

摘要

一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底，衬底内具有凹槽，凹槽包括位于凹槽中心的阵列区、以及位于阵列区周围的外围区；在凹槽的底部和侧壁表面形成复合层，复合层包括交错重叠的若干层绝缘层和若干层牺牲层，且复合层的顶层和底层均为绝缘层；在凹槽的阵列区内形成若干沟道插塞，沟道插塞贯穿复合层；在形成沟道插塞之后，去除凹槽阵列区的牺牲层，在相邻绝缘层之间形成若干第一开口；在第一开口内形成栅极结构；在形成沟道插塞之后，去除凹槽外围区的牺牲层，在相邻绝缘层之间形成若干第二开口；在第二开口内形成导电结构，衬底和绝缘层表面暴露出导电结构的顶部表面。所形成的半导体结构形貌良好、性能稳定。

主权项

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底内具有凹槽，所述凹槽包括位于所述凹槽中心的阵列区、以及位于所述阵列区周围的外围区；在所述凹槽的底部和侧壁表面形成复合层，所述复合层包括交错重叠的若干层绝缘层和若干层牺牲层，且所述复合层的顶层和底层均为绝缘层；在所述凹槽的阵列区内形成若干沟道插塞，所述沟道插塞贯穿所述复合层；在形成所述沟道插塞之后，去除所述凹槽阵列区的牺牲层，在相邻绝缘层之间形成若干第一开口；在所述第一开口内形成栅极结构；在形成所述沟道插塞之后，在所述复合层表面形成第二掩膜层，所述第二掩膜层暴露出凹槽外围区的复合层表面；以所述第二掩膜层为掩膜，采用各向同性的刻蚀工艺刻蚀所述牺牲层，去除未被第二掩膜层覆盖的凹槽外围区的牺牲层，在相邻绝缘层之间形成若干第二开口；在所述第二开口内形成导电结构，所述衬底和绝缘层表面暴露出所述导电结构的顶部表面。