[发明专利]传输门线路结构有效
申请号: | 201410431817.4 | 申请日: | 2014-08-28 |
公开(公告)号: | CN104158537B | 公开(公告)日: | 2017-04-05 |
发明(设计)人: | 周伟江 | 申请(专利权)人: | 杭州士兰微电子股份有限公司 |
主分类号: | H03K19/094 | 分类号: | H03K19/094 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人: | 张振军 |
地址: | 310012*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明提供了一种传输门线路结构,包括第一PMOS管,栅端接收第一数字信号,漏端接第一模拟信号端,源端接自身的衬底端;第二PMOS管,栅端接收第一数字信号,漏端接第二模拟信号端,源端接自身的衬底端并连接至第一PMOS管的源端;第一NMOS管,栅端接收第二数字信号,漏端接第一模拟信号端,源端接第一NMOS管的衬底端;第二NMOS管,栅端接收第二数字信号,漏端接第二模拟信号端,源端接自身的衬底端并连接至第一NMOS管的源端;其中,两个PMOS管具有第一阈值电压,两个NMOS管具有第二阈值电压,二者之和小于电源电压。本发明能够避免衬偏效应的影响,在电源电压较低时也能实现各种电位信号的传输。 | ||
搜索关键词: | 传输 线路 结构 | ||
【主权项】:
一种传输门线路结构,其特征在于,包括:第一PMOS管,其栅端接收第一数字信号,其漏端接第一模拟信号端,其源端连接所述第一PMOS管的衬底端;第二PMOS管,其栅端接收所述第一数字信号,其漏端接第二模拟信号端,其源端连接所述第二PMOS管的衬底端并连接至所述第一PMOS管的源端;第一NMOS管,其栅端接收第二数字信号,其漏端接所述第一模拟信号端,其源端连接所述第一NMOS管的衬底端;第二NMOS管,其栅端接收所述第二数字信号,其漏端接所述第二模拟信号端,其源端连接所述第二NMOS管的衬底端并连接至所述第一NMOS管的源端;其中,所述第一PMOS管和第二PMOS管具有第一阈值电压,所述第一NMOS管和第二NMOS管具有第二阈值电压,所述第一阈值电压与第二阈值电压之和小于电源电压。
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