[发明专利]衬底处理装置、衬底处理方法及半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 201410432238.1 | 申请日： | 2014-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN104681386B | 公开（公告）日： | 2017-04-12 |
| 发明（设计）人： | 山口天和;西堂周平 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立国际电气 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/20 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所11256 | 代理人： | 杨宏军,马妮楠 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及衬底处理装置、衬底处理方法及半导体器件的制造方法，本发明提供能够抑制副产物的发生并能够提高衬底的面内均匀性的衬底处理装置、衬底处理方法及半导体制造装置的制造方法。所述衬底处理装置具有处理衬底的处理室；气体供给部，具有在所述处理室内将处理衬底的处理气体分别独立地供给到所述衬底的中心部和所述衬底的周缘部的气体供给孔；对所述处理室内进行排气的排气部；和控制部，以将从所述气体供给部供给的处理气体供给到所述衬底的周缘部之后、再供给到所述衬底中心部的方式控制所述气体供给部。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 处理 装置 方法 半导体器件 制造 | ||
【主权项】：
一种衬底处理装置，具有：对衬底进行处理的处理室；气体供给部，具有向所述处理室内至少将成为前体的原料气体、与所述前体反应的反应气体和吹扫气体分别独立地供给到所述衬底的中心部和所述衬底的周缘部的气体供给孔；对所述处理室内进行排气的排气部；和控制部，其以如下方式控制所述气体供给部：向所述处理室内供给所述原料气体，在所述原料气体供给后供给所述吹扫气体，在所述吹扫气体供给后将所述反应气体供给到所述衬底周缘部，向所述衬底周缘部供给所述反应气体之后，将所述反应气体供给到所述衬底的中心部，在所述反应气体供给后，供给所述吹扫气体。
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