[发明专利]工艺腔室以及半导体加工设备有效
| 申请号： | 201410432414.1 | 申请日： | 2014-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN104752275B | 公开（公告）日： | 2018-01-09 |
| 发明（设计）人： | 吕峰;张风港;赵梦欣;丁培军;李冬冬;文莉辉 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/677 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人： | 彭瑞欣,张天舒 |
| 地址： | 100176 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供的工艺腔室以及半导体加工设备，其包括至少两个反应舱、相互独立的至少两套进气系统和晶片传输装置，其中，至少两个反应舱设置在工艺腔室的内部，且沿其周向均匀分布，每个反应舱内构成独立的工艺环境；进气系统一一对应地向反应舱输送工艺气体；晶片传输装置用于将晶片传输至反应舱内。本发明提供的工艺腔室，其单个工艺腔室可以同时进行两道以上的工序，从而不仅工艺腔室的结构紧凑、占地空间小，而且无需重新设计传输腔室的结构，从而可以降低设备的制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 工艺 以及 半导体 加工 设备 | ||
【主权项】：
一种工艺腔室，其特征在于，包括至少两个反应舱、相互独立的至少两套进气系统和晶片传输装置，其中，所述至少两个反应舱设置在所述工艺腔室的内部，且沿其周向均匀分布，每个反应舱内构成独立的工艺环境；所述进气系统一一对应地向所述反应舱输送工艺气体；所述晶片传输装置用于将晶片传输至所述反应舱内；所述晶片传输装置包括升降基座，所述升降基座一一对应地设置在所述反应舱的下方；每个所述升降基座能够上升至与之相对应的所述反应舱内封闭所述反应舱。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
