[发明专利]抗偏置低温烧结NiCuZn铁氧体材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201410432796.8 | 申请日： | 2014-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN104193317A | 公开（公告）日： | 2014-12-10 |
| 发明（设计）人： | 唐晓莉;宦丽;苏桦;张怀武;李元勋;荆玉兰 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | C04B35/26 | 分类号： | C04B35/26;C04B35/622 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 李明光 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种抗偏置低温烧结NiCuZn铁氧体材料及其制备方法，属于电子陶瓷材料及其制备技术领域。该铁氧体材料的主相为尖晶石结构，分子结构表达式为Ni0.30-xZn0.47+xCu0.18Co0.05Fe1.95O4，其中x的取值范围为0～0.05。在上述NiCuZn铁氧体材料的基础上，同时采用Bi2O3、SnO2、SiO2和CaCO3作为掺杂剂，其中Bi2O3：0.5～1wt％，SnO2：0.8～1.2wt％，SiO2：0.1～0.2wt％，CaCO3：0.1～0.2wt％。本发明得到的铁氧体兼顾了高起始磁导率和抗直流偏置磁场的要求，可广泛应用于抗大直流偏置磁场或大功率的叠层片式电感器中。 | ||
| 搜索关键词： | 偏置 低温 烧结 nicuzn 铁氧体 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种抗偏置低温烧结NiCuZn铁氧体材料，其特征在于，该铁氧体材料的主相为尖晶石结构，其分子结构表达式为Ni0.30‑xZn0.47+xCu0.18Co0.05Fe1.95O4，其中x的取值范围为0～0.05；在上述NiCuZn铁氧体材料的基础上，同时采用Bi2O3、SnO2、SiO2和CaCO3作为掺杂剂，其中Bi2O3：0.5～1wt％，SnO2：0.8～1.2wt％，SiO2：0.1～0.2wt％，CaCO3：0.1～0.2wt％。
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