[发明专利]接合半导体基板的方法有效
| 申请号： | 201410433157.3 | 申请日： | 2014-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN104752342B | 公开（公告）日： | 2019-04-02 |
| 发明（设计）人： | 俞一善;李熙元;权纯明;金炫秀 | 申请（专利权）人： | 现代自动车株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供一种接合半导体基板的方法，其可包括：在第一半导体基板上形成对准键；在第一半导体基板和对准键上形成绝缘层；在绝缘层上形成第一金属层图案和第二金属层图案；在第二半导体基板上形成第一突起和第二突起，以及位于第一突起与第二突起之间的对准凹部；分别在第一突起和第二突起上形成第三金属层图案和第四金属层图案；以及接合第一半导体基板和第二半导体基板，其中当接合第一半导体基板和第二半导体基板时，对准键位于对准凹部。 | ||
| 搜索关键词： | 接合 半导体 方法 | ||
【主权项】：
1.一种接合半导体基板的方法，其包括：在第一半导体基板上形成对准键；在所述第一半导体基板和所述对准键上形成绝缘层；在所述绝缘层上形成第一金属层图案和第二金属层图案；在第二半导体基板上形成第一突起和第二突起，以及位于所述第一突起与所述第二突起之间的对准凹部；分别在所述第一突起和所述第二突起上形成第三金属层图案和第四金属层图案；以及接合所述第一半导体基板和所述第二半导体基板，其中当接合所述第一半导体基板和所述第二半导体基板时，所述对准键位于所述对准凹部，所述绝缘层与所述对准键和所述对准凹部接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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