[发明专利]一种N型晶体硅太阳电池的背面电极结构及其制备方法

摘要

本发明公开了一种N型晶体硅太阳电池的背面电极结构，包括N型晶体硅片，在所述N型晶体硅片背表面设有磷扩散层，在所述磷扩散层上设有背面钝化层，在所述背面钝化层中设有穿过所述背面钝化层与所述磷扩散层相接触的点状电极，在所述背面钝化层表面和所述点状电极表面的全部区域或局部区域设有铝层。该背面电极能有效降低N型电池片背面串联电阻，提高电池的填充因子（FF），还可增强对入射光在N型晶体硅背面的反射作用，从而提高电池的短路电流。本发明还公开了上述N型晶体硅太阳电池的背面电极结构的制备方法。

主权项

一种N型晶体硅太阳电池的背面电极结构，包括N型晶体硅片，其特征是：在所述N型晶体硅片背表面设有磷扩散层，在所述磷扩散层上设有背面钝化层，在所述背面钝化层中设有穿过所述背面钝化层与所述磷扩散层相接触的点状电极，在所述背面钝化层表面和所述点状电极表面的全部区域或局部区域设有铝层。