[发明专利]具有埋栅结构的氮化镓基增强耗尽型异质结场效应晶体管

摘要

本发明公开了具有埋栅结构的氮化镓基增强耗尽型异质结场效应晶体管，从下至上依次主要由衬底，铝铟镓氮缓冲层，埋栅，埋栅介质层，氮化镓沟道层，铝铟镓氮势垒层，栅介质层，铝铟镓氮势垒层上的源极和漏极，栅介质层上的栅极组成，所述源极和漏极与铝铟氮镓势垒层形成欧姆接触，所述栅极与栅介质层形成肖特基接触，所述埋栅介质层和埋栅均位于铝铟镓氮缓冲层中，且所述埋栅位于埋栅介质层中。通过埋栅单独偏置，且根据埋栅的不同偏置，实现调控器件的阈值电压；当埋栅处于负偏压时，埋栅耗尽氮化镓沟道层的二维电子气，使器件实现增强型工作；当埋栅处于零偏压或正偏压时，氮化镓沟道层中存在二维电子气，使器件实现耗尽型工作。

主权项

具有埋栅结构的氮化镓基增强耗尽型异质结场效应晶体管，从下至上依次主要由衬底（101），铝铟镓氮缓冲层（102），氮化镓沟道层（103），铝铟镓氮势垒层（104），栅介质层（105），铝铟镓氮势垒层（104）上的源极（106）和漏极（107），栅介质层（105）上的栅极（108）组成，所述源极（106）和漏极（107）与铝铟氮镓势垒层（104）形成欧姆接触，所述栅极（108）与栅介质层（105）形成肖特基接触，其特征在于：还包括埋栅（201）和埋栅介质层（202），所述埋栅介质层（202）和埋栅（201）均位于铝铟镓氮缓冲层（102）中，且所述埋栅（201）位于埋栅介质层（202）中。