[发明专利]栅极结构的形成方法以及栅极结构

摘要

本发明提供一种栅极结构的形成方法以及栅极结构，栅极结构的形成方法包括提供衬底，在衬底上形成介质层，并在介质层中形成第一开口、第二开口；形成第一功函数层；仅保留位于第一开口中的第一功函数层，以形成NMOS器件的功函数层；分别在第二开口中以及第一开口中的第一功函数层上形成第二功函数层；形成栅极。栅极结构包括衬底、介质层、位于介质层中的第一开口、第二开口；第一功函数层、第二功函数层、栅极。本发明的有益效果在于，先形成NMOS器件的功函数层有利于加快工艺进度，减少刻蚀过程中对其他半导体器件的影响；省去一道形成扩散阻挡层的工艺；增加了第一开口、第二开口的空间，进而有利于栅极的形成。

主权项

1.一种栅极结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底具有NMOS区域以及PMOS区域；在所述衬底的NMOS区域以及PMOS区域上形成介质层，并在所述介质层中分别形成位于所述NMOS区域以及PMOS区域的第一开口和第二开口；在衬底以及所述第一开口和第二开口中形成第一功函数层；去除部分第一功函数层，仅保留位于第一开口中的第一功函数层，以形成NMOS器件的功函数层；在形成NMOS器件的功函数层的步骤之后，分别在所述第二开口中以及第一开口中的第一功函数层上形成第二功函数层，所述第二功函数层作为PMOS器件的功函数层以及NMOS区域和PMOS区域的扩散阻挡层；形成填充所述第一开口、第二开口的栅极。