[发明专利]用于互补金属氧化物半导体堆叠式芯片应用的单光子雪崩二极管成像传感器有效
申请号: | 201410437739.9 | 申请日: | 2014-08-29 |
公开(公告)号: | CN104779259B | 公开(公告)日: | 2017-10-31 |
发明(设计)人: | 埃里克·A·G·韦伯斯特 | 申请(专利权)人: | 豪威科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/374;H04N5/3745 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司11287 | 代理人: | 齐杨 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本申请涉及一种用于互补金属氧化物半导体堆叠式芯片应用的单光子雪崩二极管成像传感器。一种成像传感器系统包含包括形成于第一晶片的第一半导体层中的N个像素的单光子雪崩二极管SPAD成像阵列。每一像素的所述第一半导体层的实质上整个厚度为全耗尽的,以使得包含于每一像素中在前侧附近的倍增区域经配置为通过背侧且通过所述全耗尽第一半导体层的所述实质上整个厚度用光子来照明。深n型隔离区域安置于所述第一半导体层中在所述像素之间以将所述像素隔离。N个数字计数器形成于接合到所述第一晶片的第二晶片的第二半导体层中。所述N个数字计数器中的每一者耦合到所述SPAD成像阵列且经耦合以计数由所述像素中的相应一者产生的输出脉冲。 | ||
搜索关键词: | 用于 互补 金属 氧化物 半导体 堆叠 芯片 应用 光子 雪崩 二极管 成像 传感器 | ||
【主权项】:
一种成像传感器系统,其包括:第一晶片的第一半导体层;单光子雪崩二极管SPAD成像阵列,其包含形成于所述第一半导体层中的多个像素,其中所述多个像素包含N数目个像素,其中每一像素的所述第一半导体层的实质上整个厚度为全耗尽的,以使得包含于每一像素中在所述第一半导体层的前侧附近的倍增区域经配置为通过所述第一半导体层的背侧且通过所述全耗尽第一半导体层的所述实质上整个厚度用光子来照明;深n型隔离区域,其安置于所述第一半导体层中在所述像素之间以将所述多个像素中的每一者彼此隔离;接合到所述第一晶片的第二晶片的第二半导体层;多个数字计数器,其形成于所述第二半导体层中且电耦合到所述SPAD成像阵列,其中所述多个数字计数器包含至少N数目个数字计数器,其中所述N数目个数字计数器中的每一者经耦合以计数由所述多个像素中的相应一者产生的输出脉冲。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的