[发明专利]离子敏感传感器的离子敏感层结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201410437969.5 | 申请日： | 2014-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN104422726B | 公开（公告）日： | 2018-02-23 |
| 发明（设计）人： | 克里斯蒂安·库纳特;埃伯哈德.库尔特;托尔斯滕·佩希施泰因 | 申请（专利权）人： | 恩德莱斯和豪瑟尔分析仪表两合公司;弗劳恩霍夫应用研究促进协会 |
| 主分类号： | G01N27/414 | 分类号： | G01N27/414 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司11219 | 代理人： | 张焕生,谢丽娜 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 离子敏感传感器的离子敏感层结构及其制造方法。在用于制造离子敏感传感器的离子敏感结构的方法中，提供承载氧化物层的第一半导体衬底，然后，沉积和回火金属氧化物层和金属层，以获得在承载氧化物层的半导体衬底上的具有晶化金属氧化物层和氧化晶化金属层的层序列。在这样的情况下，金属氧化物层和金属层具有兼容的金属元素，并且金属氧化物层的镀层厚度dMOX大于金属层的镀层厚度dMET。 | ||
| 搜索关键词： | 离子 敏感 传感器 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种用于制造离子敏感传感器的离子敏感结构的方法(100)，所述方法包括如下步骤：提供(110)承载氧化物层(13)的半导体衬底(12)，沉积和回火(120)金属氧化物层(14*)和金属层(15*)，以获得在承载所述氧化物层(13)的所述半导体衬底(12)上的具有晶化金属氧化物层(14)和氧化晶化金属层(15)的层序列，其中，所述金属氧化物层(14)和所述金属层(15)具有相同的金属元素，并且其中，所述金属氧化物层(14)的镀层厚度(dMOX)大于所述金属层(15)的镀层厚度(dMET)。
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