[发明专利]PMOS结构及其形成方法在审
| 申请号： | 201410438476.3 | 申请日： | 2014-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN105374684A | 公开（公告）日： | 2016-03-02 |
| 发明（设计）人： | 李凤莲 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/20;H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 应战;骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种PMOS结构及其形成方法，所述PMOS结构的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有栅极结构和位于所述栅极结构两侧侧壁上的侧墙；以所述栅极结构及侧墙为掩模，在侧墙两侧所述半导体衬底中形成沟槽；在所述沟槽底面及侧面表面形成锗硅种晶层，所述锗硅种晶层掺杂有氟离子；在所述硅锗种晶层上形成硅锗体层，所述硅锗体层填充满所述沟槽的剩余部分。氟离子和硅具有很强的键合力，在锗硅种晶层掺杂氟离子可以降低转移电子效应，防止P型离子的扩散，同时所述氟离子的掺杂，能提高器件的稳定性，改善负偏压温度不稳定性和热载流子注入效应。 | ||
| 搜索关键词： | pmos 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种PMOS结构的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有栅极结构和位于所述栅极结构两侧侧壁上的侧墙；以所述栅极结构及侧墙为掩模，在侧墙两侧所述半导体衬底中形成沟槽；在所述沟槽底面及侧面表面形成锗硅种晶层，所述锗硅种晶层掺杂有氟离子；在所述硅锗种晶层上形成硅锗体层，所述硅锗体层填充满所述沟槽的剩余部分，所述锗硅体层含有掺杂离子。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
