[发明专利]一种横向SOI功率LDMOS器件

摘要

一种横向SOI功率LDMOS器件，属于半导体功率器件技术领域。器件包括衬底、介质埋层及其上的半导体有源层，半导体有源层中形成槽型辅助积累结构，槽型辅助积累结构两侧为漂移区。槽型辅助积累结构由两层槽型隔离介质中间夹一层半导体高阻区形成，半导体高阻区中形成集成二极管。本发明在器件开态时，槽型辅助积累结构与漂移区界面处形成多子积累层，构成一条电流低阻通道，显著降低器件比导通电阻。关断状态，半导体高阻区承受耐压。开态电流大部分流经多子积累层，使得比导通电阻几乎与漂移区掺杂浓度无关，有效地缓解击穿电压与比导通电阻的矛盾关系。

主权项

一种横向SOI功率LDMOS器件，其元胞结构包括纵向自下而上的衬底层(1)、介质埋层(2)、半导体有源层；所述半导体有源层横向一侧具有第二导电类型半导体体区(5)，所述第二导电类型半导体体区(5)表面具有相邻的第一导电类型半导体源区(6)和第二导电类型半导体体接触区(7)，所述第一导电类型半导体源区(6)与第二导电类型半导体体接触区(7)的表面接金属化源极(S)；所述半导体有源层横向另一侧具有第一导电类型半导体漏区(8)，所述第一导电类型半导体漏区(8)的表面接金属化漏极(D)；所述第二导电类型半导体体区(5)表面，包括与之相连的部分第一导电类型半导体源区(6)表面具有栅介质(3)，栅介质(3)表面具有栅导电材料(4)，所述栅导电材料(4)表面接金属化栅电极(G)；其特征在于：所述第二导电类型半导体体区(5)与第一导电类型半导体漏区(8)之间的半导体有源层中还具有一个槽型辅助积累结构和第一导电类型半导体漂移区(9)；其中：所述槽型辅助积累结构由两层槽型隔离介质(10)中间夹一层半导体高阻区(12)构成，两层槽型隔离介质(10)相互平行且垂直于器件的介质埋层(2)，所述第一导电类型半导体漂移区(9)分布于两层槽型隔离介质(10)的外侧；在所述半导体高阻区(12)表面形成第二导电类型半导体栅端欧姆接触区(11)、第一导电类型半导体场截止区(13)和第二导电类型半导体漏端接触区(14)；其中：第二导电类型半导体栅端欧姆接触区(11)位于半导体高阻区(12)表面靠近第二导电类型半导体体区(5)的位置，且第二导电类型半导体栅端欧姆接触区(11)的引出端与金属化栅电极(G)电气相连；第一导电类型半导体场截止区(13)位于半导体高阻区(12)表面靠近第一导电类型半导体漏区(8)的位置；第二导电类型半导体漏端接触区(14)位于第一导电类型半导体场截止区(13)表面，且第二导电类型半导体漏端接触区(14)的引出端接金属化漏极(D)。