[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201410439886.X | 申请日： | 2014-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN104425296B | 公开（公告）日： | 2017-11-10 |
| 发明（设计）人： | 牛岛隆志;今井敦志;野原二郎 | 申请（专利权）人： | 丰田自动车株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L23/488 |
| 代理公司： | 北京金信知识产权代理有限公司11225 | 代理人： | 黄威,董领逊 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体装置(10)的制造方法，包括将具有开口(42)的掩模(20)置于基板(18)的上表面的外部区域(24)上，以将所述掩模的所述开口的端部(44)正好定位在形成于所述基板的所述上表面上的凹部(20)的上方，所述外部区域位于所述凹部的外侧。所述制造方法进一步包括在将所述掩模置于所述基板上之后，通过所述掩模，在所述基板的所述上表面的一部分上使导电膜(16)生长，所述上表面的所述一部分包含所述凹部；以及在使所述导电膜生长之后，将所述掩模从所述基板移除。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
半导体装置(10)的制造方法，其特征在于包括：将具有开口(42)的掩模(40)置于基板(18)的上表面的外部区域(24)上，以将所述掩模的所述开口的端部(44)正好定位在形成于所述基板的所述上表面上的凹部的上方，所述外部区域位于所述凹部的外侧，并且当从上方观察所述基板时，内部区域(22)被所述凹部围绕，所述内部区域位于所述外部区域的内侧；在将所述掩模置于所述基板上之后，通过所述掩模，在所述基板的所述上表面的一部分上使导电膜(16)生长，所述上表面的所述一部分包含所述凹部，所述导电膜不形成在所述外部区域中；以及在使所述导电膜生长之后，将所述掩模从所述基板移除。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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