[发明专利]相变存储器单元的形成方法有效
| 申请号： | 201410440261.5 | 申请日： | 2014-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN105449101B | 公开（公告）日： | 2018-06-01 |
| 发明（设计）人： | 李志超;何作鹏 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 应战;骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种相变存储器单元的形成方法，包括：提供衬底；在衬底表面形成介质层；形成穿透介质层的通孔，包括位于衬底表面的第一部分通孔和位于第一部分通孔上方与第一部分通孔连通的第二部分通孔，第一部分通孔的侧壁垂直于衬底表面，第二部分通孔的侧壁倾斜且顶部宽度大于底部宽度；在所述通孔内壁表面以及介质层表面形成金属层，所述金属层填充满所述第一部分通孔，且覆盖第二部分通孔的侧壁；在所述金属层表面形成牺牲层，所述牺牲层填充满所述第二部分通孔；进行平坦化处理，去除高于第一部分通孔的牺牲层、部分金属层和部分介质层；在剩余的介质层表面、以及第一部分通孔内的金属层表面形成相变层。上述方法可以提高形成的相变存储器单元的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 通孔 相变存储器单元 衬底表面 介质层 金属层 牺牲层 介质层表面 金属层表面 平坦化处理 侧壁垂直 侧壁倾斜 通孔内壁 侧壁 衬底 去除 穿透 连通 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种相变存储器单元的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底表面形成介质层；形成穿透介质层的通孔，所述通孔包括位于衬底表面的第一部分通孔和位于所述第一部分通孔上方与所述第一部分通孔连通的第二部分通孔，所述第一部分通孔的侧壁垂直于衬底表面，第二部分通孔的侧壁倾斜且顶部宽度大于底部宽度；在所述通孔内壁表面以及介质层表面形成金属层，所述金属层填充满所述第一部分通孔，且覆盖第二部分通孔的侧壁；在所述金属层表面形成牺牲层，所述牺牲层填充满所述第二部分通孔，所述牺牲层与金属层之间的反射率比值大于1.5；以所述金属层表面作为停止层，对所述牺牲层进行平坦化，对牺牲层进行平坦化时，通过测量被研磨表面的反射率变化获得研磨的停止位置；对牺牲层进行平坦化之后，通过设定研磨时间，对金属层进行平坦化，去除位于介质层表面的金属层，保留位于通孔内的金属层，在对所述金属层和牺牲层同时进行化学机械研磨的过程中，牺牲层的研磨速率大于所述金属层的研磨速率；更换研磨垫对介质层进行平坦化处理，去除高于第一部分通孔的牺牲层、部分金属层和部分介质层；在剩余的介质层表面、以及第一部分通孔内的金属层表面形成相变层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司，未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410440261.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
