[发明专利]一种光子晶体的制造方法在审

专利信息
申请号: 201410440446.6 申请日: 2014-09-01
公开(公告)号: CN104166181A 公开(公告)日: 2014-11-26
发明(设计)人: 杜泽杰;段瑞飞 申请(专利权)人: 中国科学院半导体研究所
主分类号: G02B6/13 分类号: G02B6/13
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 宋焰琴
地址: 100083 *** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种光子晶体的制造方法,其包括:设计制作光子晶体的掩膜板,所述掩膜板上的图形或图形组合必须是周期分布的;布置光路,将用于制作光子晶体的材料置于所述掩膜板的一侧,将所述平面光光源置于所述掩膜板的另一侧;其中,所述材料距离掩膜板2个泰伯周期以上;开启所述光源,所述光源通过所述掩膜板,在掩膜板的另一侧的空间形成周期性的泰伯像,并且在所述光子晶体材料中形成感光区,使得该感感光区在所述光子晶体材料中由远场向近场推进,完成曝光。采用本发明提出的这种方法可以以较低成本制作二维和三维光子晶体。
搜索关键词: 一种 光子 晶体 制造 方法
【主权项】:
一种光子晶体的制造方法,其包括:设计制作光子晶体的掩膜板;布置光路,将光子晶体材料置于所述掩膜板的一侧,将所述光源置于所述掩膜板的另一侧;其中,所述光子晶体材料距离掩膜板2个泰伯周期以上;开启所述光源,所述光源通过所述掩膜板,在掩膜板的另一侧的空间形成周期性的泰伯像,并且在所述光子晶体材料中形成感光区,使得该感感光区在所述光子晶体材料中由远场向近场推进,完成曝光。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院半导体研究所,未经中国科学院半导体研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410440446.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top