[发明专利]一种压电陶瓷的驱动放大电路有效

专利信息
申请号: 201410441037.8 申请日: 2014-09-01
公开(公告)号: CN104242842B 公开(公告)日: 2017-09-12
发明(设计)人: 徐立松;李佩玥;葛川;尹志生;隋永新;杨怀江 申请(专利权)人: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
主分类号: H03F3/45 分类号: H03F3/45
代理公司: 长春菁华专利商标代理事务所(普通合伙)22210 代理人: 陶尊新
地址: 130033 吉*** 国省代码: 吉林;22
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摘要: 一种压电陶瓷的驱动放大电路,涉及压电陶瓷驱动控制领域,具体地说是一种压电陶瓷驱动放大器,它可以灵活的组成压电陶瓷电源。本发明的压电陶瓷放大器,在保证驱动效果的同时,有效的降低了成本,同时也保证电路应用的便利性。本发明依据放大电路的设计原理进行设计,它由差分输入电路、电压放大电路和电流放大电路组成,差分输入电路解决了高压放大电路的差动输入问题,电压放大电路对电压进行放大,电流放大电路对电流进行放大,增强输出电压的功率,提高系统带负载的能力。使用设计的高压放大器组成压电陶瓷驱动电源,其对称性好,输出电压的分辨率优于10mV。
搜索关键词: 一种 压电 陶瓷 驱动 放大 电路
【主权项】:
一种压电陶瓷的驱动放大电路,由差分输入电路、电压放大电路和电流放大电路组成;其特征是,所述差分输入电路的输出端与电压放大电路的输入端连接,电压放大电路的输出端与电流放大电路的输入端连接,所述电流放大电的输出端串联电阻后与压电陶瓷组成RC充放电电路给压电陶瓷供电;所述的差分输入电路由耗尽型MOS管Q6、电阻R6、由分晶体管Q1_A和分晶体管Q1_B组成的差分对管Q1、高压晶体管Q2和Q3、由三极管Q4_A和三极管Q4_B组成的电流源三极管Q4、电阻R1、电阻R2、电阻R3以及二极管D1组成;所述电压放大电路由可变电阻R4、可变电阻R5、晶体管Q5、耗尽型MOS管Q7和R7组成;所述电流放大电路由高压MOS管M1、高压MOS管M2、电阻R8、电阻R9和电阻R10组成;所述耗尽型MOS管Q6的源极串联电阻R6作为差分输入电路的恒流源,所述分晶体管Q1_A和分晶体管Q1_B的发射极相连并与恒流源的输出端相连,差分对管Q1_A和Q1_B的基极分别作为差分输入电路的同向输入端和反向输入端,分晶体管Q1_A和分晶体管Q1_B的集电极分别连接高压晶体管Q2和Q3的发射极;所述高压晶体管Q2和高压晶体管Q3基极相连,集电极分别连接电流源三极管Q4_A和Q4_B的集电极,所述高压晶体管Q2的集电极作为差分输入电路的反向输出端,高压晶体管Q3的集电极作为差分输入电路的同向输出端;所述电流源三极管Q4_A和Q4_B的基极相连后与三极管Q4_A的集电极相连,所述电流源三极管Q4_A和Q4_B的发射极分别串接电阻R1和R2最终接在正电压源VCC上;所述电阻R3的一端与正电压源VCC相连,另一端串联二极管D1后与耗尽型MOS管Q6组成的恒流源的输出端连接,所述二极管D1与电阻R3连接的一端作为稳定电压输出端连接于高压晶体管Q2和高压晶体管Q3的基极;所述晶体管Q5的发射极串联可变电阻R4后与正电压源VCC连接,所述晶体管Q5的基极作为输入端与差分输入电路的反向输出端相连,晶体管Q5的集电极串联可变电阻R5与耗尽型MOS管Q7的输出端相连,所述耗尽型MOS管Q7的源极串联R7作为电压放大电路的恒流源;所述高压MOS管M1和高压MOS管M2的漏极分别与正电压源VCC和负电压源VSS相连,栅极分别作为电压放大电路的输入端串接电阻R8和R9后接在可变电阻R5的两端,所述高压MOS管M1和高压MOS管M2的源级相连并作为电流放大电路的输出端,同时所述输出端与电阻R10串联后用于驱动压电陶瓷。
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