[发明专利]通过开锥孔进行锥槽离子注入制作半导体器件超级结的方法

摘要

通过开锥孔进行锥槽离子注入制作半导体器件超级结的方法属于超级结半导体器件制造技术领域。现有技术尚不能获得超级结效果。本发明首先在硅片上刻蚀若干规则分布的锥孔，锥孔底部呈平底状，然后向锥孔中垂直注入杂质，再填充锥孔，最后高温推结，形成P柱和N柱交替排布的超级结；并且：注入前在锥孔底部上制作覆盖层，注入后去掉覆盖层；或者注入后随即自锥孔底部向下刻蚀，去除注入时在锥孔底部下面形成的高浓度掺杂层；或者注入前在锥孔侧壁及底部上淀积掩蔽层，直到使锥孔底部呈尖角状，注入后去掉掩蔽层；或者注入前在锥孔侧壁及底部上外延或者淀积注入层，直到使锥孔底部呈尖角状，注入时杂质注入到所述注入层中。

主权项

一种通过开锥孔进行锥槽离子注入制作半导体器件超级结的方法，其特征在于，首先在硅片上刻蚀若干规则分布的锥孔(5)，锥孔(5)底部呈平底状，然后向锥孔(5)中垂直注入杂质，再填充锥孔(5)，最后高温推结，形成P柱和N柱交替排布的超级结；并且：A.注入前在锥孔(5)底部上制作覆盖层(6)，注入后去掉覆盖层(6)；或者，B.注入后随即自锥孔(5)底部向下刻蚀，去除注入时在锥孔(5)底部下面形成的高浓度掺杂层(7)；或者，C.注入前在锥孔(5)侧壁及底部上淀积掩蔽层(8)，直到使锥孔(5)底部呈尖角状，注入后去掉掩蔽层(8)；或者，D.注入前在锥孔(5)侧壁及底部上外延或者淀积注入层(9)，直到使锥孔(5)底部呈尖角状，注入时杂质注入到所述注入层(9)中。