[发明专利]具有特定形状且排列整齐的石墨烯单晶畴的制备方法在审
| 申请号： | 201410441163.3 | 申请日： | 2014-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN104152991A | 公开（公告）日： | 2014-11-19 |
| 发明（设计）人： | 狄增峰;戴家赟;王刚;郑晓虎;薛忠营;汪子文;张苗 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | C30B29/02 | 分类号： | C30B29/02;C30B25/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种具有特定形状且排列整齐的石墨烯单晶畴的制备方法，所述制备方法为以（110）晶面的半导体材料为催化基底，采用化学气相沉积法，通过气态或固态碳源于所述催化基底表面形成具有特定形状且排列整齐的石墨烯单晶畴。本发明通过调节惰性气体、碳源和氢气的浓度比例、生长温度以及生长时间等可以控制单晶石墨烯的尺寸、密度、形状，并且可以直接获得排列整齐的石墨烯单晶畴。本发明获得的石墨烯单晶畴，具有高质量、低缺陷，并且规则排列等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 特定 形状 排列 整齐 石墨 烯单晶畴 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种具有特定形状且排列整齐的石墨烯单晶畴的制备方法，其特征在于，以(110)晶面的半导体材料为催化基底，采用化学气相沉积法，通过气态或固态碳源于所述催化基底表面形成具有特定形状且排列整齐的石墨烯单晶畴。
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