[发明专利]钨淀积工艺的背面压力的优化方法有效
申请号: | 201410441191.5 | 申请日: | 2014-09-01 |
公开(公告)号: | CN104157607B | 公开(公告)日: | 2017-02-15 |
发明(设计)人: | 归剑;刘峰松 | 申请(专利权)人: | 上海先进半导体制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768;H01L21/3205;C23C16/06 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人: | 徐洁晶 |
地址: | 200233 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供一种钨淀积工艺的背面压力的优化方法,包括对预淀积、成核与大量淀积这三个步骤中的背面压力与良率作对比,找出随着背面压力的变化,良率或均匀性的变化结果;获取这三个步骤中各个背面压力的最佳数值;对加热器设置一预定的使用片数停机维护阈值;在加热器达到使用片数时,将加热器拆下倒置,使其表面浸泡于双氧水溶液中;经过一预定的清洁时间后,将加热器取出并用去离子水和异丙醇擦拭;检视加热器的背压槽,确保钨残留物已全部脱落干净;将加热器重新装好,采用各个背面压力的最佳数值执行钨淀积工艺。本发明得出了不同步骤的最佳背压条件,实现了对最佳背压优化条件的运用,控制并稳定了晶圆的背面压力,提升了阶梯覆盖率。 | ||
搜索关键词: | 钨淀积 工艺 背面 压力 优化 方法 | ||
【主权项】:
一种钨淀积工艺的背面压力的优化方法,所述钨淀积工艺包括预淀积、成核与大量淀积这三个步骤;执行所述钨淀积工艺的设备上具有一加热器,所述加热器包括背压槽,所述背压槽内累积有钨残留物;其中,所述优化方法包括步骤:A.对所述预淀积步骤中的背面压力与良率进行对比,找出随着背面压力的增加或者减少,良率的变化结果;B.对所述成核步骤中的背面压力与良率进行对比,找出随着背面压力的增加或者减少,良率的变化结果;C.对所述大量淀积步骤中的背面压力与良率进行对比,找出随着背面压力的增加或者减少,良率和均匀性的变化结果;D.获取所述预淀积步骤、所述成核步骤与所述大量淀积步骤中的各个背面压力的最佳数值;E.对所述加热器设置一预定的使用片数停机维护阈值;F.在所述加热器达到所述使用片数停机维护阈值时,将所述加热器拆下倒置,使其表面浸泡于双氧水溶液中;G.经过一预定的清洁时间后,将所述加热器取出,并用去离子水和异丙醇擦拭;H.检视所述加热器的背压槽,确保在所述背压槽内的钨残留物已全部脱落干净;I.将所述加热器重新装好,采用所述预淀积步骤、所述成核步骤与所述大量淀积步骤中的各个背面压力的所述最佳数值执行所述钨淀积工艺;其中,所述最佳数值指的是所述预淀积步骤中的背面回压小于25mTorr、所述成核步骤中的背面底压小于1.4mTorr。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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