[发明专利]一种阻变存储器存储单元的多值操作方法

摘要

本发明提出一种阻变存储器存储单元的多值操作方法，通过综合调节存储单元的编程限制电流和擦除截止电压以实现多值存储。其中，通过对存储单元施加擦除电压和编程限制电流以实现存储单元的较低阻值状态，其中编程限制电流数值越大，存储单元阻值越小；通过对存储单元施加擦除截止电压和编程电压以实现存储单元的较高阻值状态，其中，擦除截止电压绝对值越大，存储单元阻值越大。本发明的方法具有存储窗口大、简单易行、误读率小、功耗小等优点。

主权项

1.一种阻变存储器存储单元的多值操作方法，其特征在于，通过综合调节所述存储单元的编程限制电流和擦除截止电压以实现多值存储,其中，通过对所述存储单元施加擦除电压和编程限制电流以实现存储单元的较低阻值状态，其中编程限制电流数值越大，存储单元阻值越小，以及通过对所述存储单元施加擦除截止电压和编程电压以实现存储单元的较高阻值状态，其中，擦除截止电压绝对值越大，存储单元阻值越大；选取预设所述编程限制电流和预设所述擦除截止电压，提升信息态之间的电阻值窗口；所述存储单元为X位存储单元时对应2X种阻值状态，按照阻值从小到大依次表示为S1、S2……S2X；选取A个编程限制电流值，按照电流数值从大到小依次表示为第一编程限制电流I1，第二编程限制电流I2，……第A编程限制电流IA，其中A为正整数；选取B个擦除截止电压值，按照电压数值绝对值从大到小依次表示为第一擦除截止电压V1，第二擦除截止电压V2，……第B擦除截止电压VB,其中，B＝2X‑A；对所述存储单元施加擦除电压和I1以实现S1，对所述存储单元施加擦除电压和I2以实现S2，依次类推实现所有阻值状态中A种阻值较小的状态，即实现S1至SA；以及对所述存储单元施加V1和编程电压以实现S2X，对所述存储单元施加V2和编程电压以实现S(2X‑1)，依次类推实现所有阻值状态中B种阻值较大的状态，即实现S2X至S(2X+1‑B)。