[发明专利]一种用于缺陷分类的光学检测方法有效
申请号: | 201410441473.5 | 申请日: | 2014-09-01 |
公开(公告)号: | CN104201130B | 公开(公告)日: | 2017-10-03 |
发明(设计)人: | 倪棋梁;陈宏璘;龙吟 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;G01N21/84 |
代理公司: | 上海申新律师事务所31272 | 代理人: | 吴俊 |
地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及集成电路技术领域,尤其是涉及到一种用于缺陷分类的光学检测方法,通过设定一合适的缺陷检测设备的缺陷检测灵敏度,并调用该光学缺陷检测设备对灰阶化以及标识后的栅极、有源区和氧化层隔离区进行缺陷检测,并根据缺陷位于不同程度的灰阶判断缺陷在静态存储器的上对应的位置同时进行分类,因此,在线的光学缺陷检测能够根据缺陷在静态存储器的上面的位置进行准确全面的分类,从而可以对器件的失效模式的研究和缺陷的成因分析带了极大的便利。 | ||
搜索关键词: | 一种 用于 缺陷 分类 光学 检测 方法 | ||
【主权项】:
一种用于缺陷分类的光学检测方法,其特征在于,所述方法包括:步骤S1、提供一具有集成电路版图的待测晶圆,所述集成电路版图包括栅极、有源区和氧化层隔离区;步骤S2、调用一检测设备获取所述集成电路版图的电子图像,并对栅极、有源区和氧化层隔离区进行标识;步骤S3、调用一光学缺陷检测设备获取所述集成电路版图的灰阶化图像,并根据标识后的电子图像对灰阶化的栅极、有源区和氧化层隔离区进行标识;步骤S4、继续利用所述光学缺陷检测设备检测灰阶化的栅极、有源区和氧化层隔离区中存在的缺陷,并对缺陷予以分类;其中,所述灰阶化图像包括三种不同程度的灰阶区域,具体为亮色灰阶、灰色灰阶和黑色灰阶;步骤S3中,获取所述集成电路版图的灰阶化图像后,所述栅极、有源区和氧化层隔离区的灰阶程度不同;步骤S4中,利用所述光学缺陷检测设备检测缺陷之前,还包括设定所述光学缺陷检测设备的缺陷检测灵敏度;调用所述光学缺陷检测设备并设定合适的缺陷检测灵敏度检测所述栅极、有源区和氧化层隔离区中的缺陷,使其更清晰检测并识别出缺陷位于不同灰阶程度上对应的结构,进而对缺陷进行分类统计。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力微电子有限公司,未经上海华力微电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410441473.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造