[发明专利]窄手性、半导体性单壁碳纳米管的宏量、可控生长方法有效
| 申请号： | 201410441540.3 | 申请日： | 2014-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN104211044A | 公开（公告）日： | 2014-12-17 |
| 发明（设计）人： | 刘畅;赵石永;侯鹏翔;成会明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院金属研究所 |
| 主分类号： | C01B31/02 | 分类号： | C01B31/02;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 沈阳优普达知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 21234 | 代理人： | 张志伟 |
| 地址： | 110016 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体性富集、且特定手性占优单壁碳纳米管的可控制备领域，具体为一种窄手性、半导体性单壁碳纳米管的宏量、可控生长方法。以醇类液态有机物为碳源，氩气为载气和保护气，以高温下结构稳定的多孔介质为担载体，通过浸渍法及后续热处理制备高分散度的双金属催化剂，利用化学气相沉积法生长单壁碳纳米管。双金属催化剂中的一相为高温稳定相，另一相为催化活性相。利用这种催化剂的独特高温结构稳定性，适宜的碳源分解能力，在较宽温度范围内选择性合成了窄手性分布、高质量的半导体性单壁碳纳米管。本发明突破目前窄手性分布碳纳米管生长量少、缺陷多或生长窗口窄等难题，实现宏量、窄手性分布、半导体性单壁碳纳米管的富集生长。 | ||
| 搜索关键词： | 手性 半导体 性单壁碳 纳米 宏量 可控 生长 方法 | ||
【主权项】：
一种窄手性、半导体性单壁碳纳米管的宏量、可控生长方法，其特征在于，以醇类液态有机物为碳源及刻蚀剂，以氩气为载气，以二元合金纳米颗粒为双金属催化剂，通过气相沉积方法生长单壁碳纳米管，制备样品为半导体富集且在较宽温度范围内存在占优的手性。
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