[发明专利]像素结构有效

专利信息
申请号: 201410441764.4 申请日: 2014-09-01
公开(公告)号: CN104155815B 公开(公告)日: 2017-03-01
发明(设计)人: 黄俊儒;廖培钧;张哲嘉;叶于菱 申请(专利权)人: 友达光电股份有限公司
主分类号: G02F1/1343 分类号: G02F1/1343
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司11006 代理人: 梁挥,祁建国
地址: 中国台湾新竹科*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 一种像素结构,其包括扫描线以及数据线、主动元件、像素电极以及共用电极。主动元件与扫描线以及数据线电性连接。像素电极与主动元件电性连接。像素电极包括多个第一层像素电极图案以及多个第二层像素电极图案。共用电极包括多个第一层共用电极图案以及多个第二层共用电极图案。每一第一层像素电极图案与对应的第二层共用电极图案之间具有边缘电场,且每一第一层共用电极图案与对应的第二层像素电极图案之间具有边缘电场。每一第二层像素电极图案与邻近的第二层共用电极图案之间具有水平电场。
搜索关键词: 像素 结构
【主权项】:
一种像素结构,其特征在于,包括:一扫描线以及一数据线;一主动元件,与该扫描线以及该数据线电性连接;一像素电极,与该主动元件电性连接,其中该像素电极包括多个第一层像素电极图案以及多个第二层像素电极图案;以及一共用电极,与该像素电极电性绝缘,该共用电极包括多个第一层共用电极图案以及多个第二层共用电极图案,其中,每一第一层像素电极图案与对应的第二层共用电极图案之间具有一边缘电场,且每一第一层共用电极图案与对应的第二层像素电极图案之间具有该边缘电场,且每一第二层像素电极图案与邻近的第二层共用电极图案之间具有一水平电场;其中该像素电极还包括一像素电极连接结构,该些第二层像素电极图案以及该些第一层像素电极图案与该像素电极连接结构电性连接,且该主动元件与该像素电极连接结构电性连接;该像素电极连接结构包括:一第一层连接部,连接该些第一层像素电极图案;一第二层连接部,连接该些第二层像素电极图案;一第一接触窗,将该主动元件与该第一层连接部电性连接在一起;以及一第二接触窗,将该第二层连接部与该第一层连接部电性连接在一起。
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