[发明专利]工艺控制方法与工艺控制系统有效
| 申请号： | 201410441976.2 | 申请日： | 2014-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN105336646B | 公开（公告）日： | 2018-02-23 |
| 发明（设计）人： | 吴俊达;萧世宗;陈建中;吴皇卫;陈煌文;彭圣修 | 申请（专利权）人： | 力晶科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人： | 史新宏 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种工艺控制方法和工艺控制系统。所述工艺控制方法适用于对批次的多个晶圆进行沉积工艺，包括根据机台的历史信息与批次的产品信息来决定批次的晶圆的摆放位置；根据批次的晶圆的摆放位置与机台的历史信息来求出各摆放位置的目标值；根据机台的历史信息、批次的产品信息以及各摆放位置的目标值来求出工艺参数；以及根据批次的晶圆的摆放位置与工艺参数进行沉积工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 工艺 控制 方法 控制系统 | ||
【主权项】：
一种半导体工艺控制方法，适用于对批次的多个晶圆进行沉积工艺，包括：根据机台的历史信息与批次的产品信息来决定批次的晶圆的摆放位置；根据所述批次的晶圆的摆放位置与所述机台的历史信息来求出各摆放位置的目标值；根据所述机台的历史信息、所述批次的产品信息以及所述各摆放位置的目标值来求出工艺参数；以及根据所述批次的晶圆的摆放位置与所述工艺参数进行沉积工艺。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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