[发明专利]一种基于薄膜晶体管的反相器

摘要

本发明公开了一种基于薄膜晶体管的反相器，包括两个阈值可调的薄膜晶体管串联；所述两个薄膜晶体管为第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，且结构相同，均包括衬底、设在衬底上的底栅，设在衬底上并且覆盖底栅的栅氧化层，设在栅氧化层上的沟道层，设在沟道层上相对两侧的源极漏极，设在沟道层上以及源极漏极上的隧穿层，设在隧穿层上的存储层，设在存储层上的阻挡层，以及设在阻挡层上的顶栅，所述顶栅位于底栅正上方。所述两个薄膜晶体管的阈值电压可以在制作完成后通过俘获在存储层中的电荷调节。第二薄膜晶体管是耗尽型晶体管，第一薄膜晶体管是增强型晶体管，本发明的反相器具有结构和制作简单、操作方便、易于集成化、与现有技术兼容等优点。

主权项

一种基于薄膜晶体管的反相器，其特征在于：包括串联的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管；所述第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管结构相同，均包括衬底（10），设在衬底上的底栅（11），设在衬底（10）上并且覆盖底栅（11）的栅氧化层（12），设在栅氧化层（12）上的沟道层（13），设在沟道层（13）上相对两侧的源极（14）、漏极（15），设在沟道层（13）上以及源极（14）、漏极（15）上的隧穿层（21），设在隧穿层（21）上的存储层（22），设在存储层（22）上的阻挡层（23），以及设在阻挡层（23）上的顶栅（16），所述顶栅（16）位于底栅（11）正上方。