[发明专利]鳍式场效应晶体管的形成方法有效
| 申请号： | 201410443001.3 | 申请日： | 2014-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN105448731B | 公开（公告）日： | 2019-04-26 |
| 发明（设计）人： | 王文博 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 应战;骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种鳍式场效应晶体管的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有鳍部；形成第一介质层，所述第一介质层覆盖所述半导体衬底及鳍部表面；形成位于第一介质层表面且横跨鳍部的牺牲结构；以所述牺牲结构为掩模，刻蚀所述第一介质层直至暴露出鳍部；形成位于所述牺牲结构两侧鳍部的源漏区；形成与牺牲结构顶面齐平的第二介质层；去除牺牲结构及牺牲结构下方部分深度的第一介质层直至暴露出部分鳍部的顶面和侧面，形成沟槽；在所述沟槽内形成金属栅极结构。本发明的实施例简化了制造工艺，避免了牺牲结构材料在沟槽中的残留，改善了沟槽的尺寸均匀度，有利于金属栅极结构的形成，提升器件电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 牺牲结构 鳍部 介质层 鳍式场效应晶体管 金属栅极结构 衬底 半导体 半导体衬底表面 介质层表面 电学性能 顶面齐平 提升器件 制造工艺 均匀度 源漏区 暴露 顶面 刻蚀 去除 掩模 横跨 残留 侧面 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有鳍部；形成第一介质层，所述第一介质层覆盖所述半导体衬底及鳍部表面，所述第一介质层表面高于鳍部顶面；形成位于第一介质层表面且横跨鳍部的牺牲结构；形成位于牺牲结构两侧侧壁上的偏置侧墙；以所述牺牲结构及偏置侧墙为掩模，刻蚀所述第一介质层直至暴露出鳍部；形成位于偏置侧墙两侧侧壁上的主侧墙；形成位于所述牺牲结构和主侧墙两侧鳍部的源漏区；形成与牺牲结构顶面齐平的第二介质层，且所述第二介质层覆盖源漏区和第一介质层表面；去除牺牲结构及牺牲结构下方部分深度的第一介质层直至暴露出部分鳍部的顶面和侧面，形成沟槽；在所述沟槽内形成金属栅极结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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