[发明专利]半导体结构的制作方法在审
| 申请号： | 201410443004.7 | 申请日： | 2014-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN105448654A | 公开（公告）日： | 2016-03-30 |
| 发明（设计）人： | 陈怡骏;游宽结;侯元琨 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 应战;骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构的制作方法，包括：提供基底；在所述基底表面形成金属层；提供退火腔室，将所述金属层置于退火腔室内进行退火处理，且在退火处理过程中退火腔室内的温度为第一温度；在进行所述退火处理后，对所述放置有金属层的退火腔室进行降温处理，使所述退火腔室内的温度由第一温度递减至第二温度；将所述形成有金属层的基底从具有第二温度的退火腔室内取出。本发明减小金属层以及基底从退火处理腔室内取出时具有的温度差，防止温度突变造成金属层以及基底发生翘曲，提高半导体结构的生产良率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括提供基底；在所述基底表面形成金属层；提供退火腔室，将所述金属层置于退火腔室内进行退火处理，且在退火处理过程中，退火腔室内的温度为第一温度；在进行所述退火处理后，对所述放置有金属层的退火腔室进行降温处理，使所述退火腔室内的温度由第一温度递减至第二温度；将所述形成有金属层的基底从具有第二温度的退火腔室内取出。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
