[发明专利]低电阻率P型铝镓氮材料及其制备方法在审
| 申请号： | 201410443191.9 | 申请日： | 2014-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN104332545A | 公开（公告）日： | 2015-02-04 |
| 发明（设计）人： | 杨静;赵德刚;乐伶聪;李晓静;何晓光 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/00;H01S5/343 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种低电阻率P型铝镓氮材料及其制备方法，该制备方法包括：对衬底升温，在氢气环境下热处理，去除衬底表面的杂质；在衬底上生长低温成核层，为后续生长材料提供成核中心；在低温成核层上生长一层非故意掺杂模板层；在非故意掺杂模板层上低温外延生长一层低碳杂质浓度的P型铝镓氮层；在氮气环境下，高温退火使P型铝镓氮层中受主激活，得到低电阻率P型铝镓氮材料。利用本发明，通过更改生长条件，降低低温生长的P型铝镓氮材料中非故意掺杂的碳杂质的浓度，从而减轻了受主补偿作用，达到降低P型铝镓氮材料电阻率的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 电阻率 型铝镓氮 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种低电阻率P型铝镓氮材料，其特征在于，该低电阻率P型铝镓氮材料包括： 衬底； 形成于该衬底之上的低温成核层； 形成于该低温成核层之上的非故意掺杂模板层；以及 形成于该非故意掺杂模板层之上的低温生长低碳杂质浓度的P型铝镓氮层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院半导体研究所，未经中国科学院半导体研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410443191.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
