[发明专利]半导体装置及其制造方法在审

专利信息
申请号: 201410443248.5 申请日: 2014-09-02
公开(公告)号: CN104425391A 公开(公告)日: 2015-03-18
发明(设计)人: 山口启;市村裕司;君岛大辅 申请(专利权)人: 富士电机株式会社
主分类号: H01L23/02 分类号: H01L23/02;H01L21/54
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 胡秋瑾
地址: 日本神*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明的目的在于提供一种不使用传递成型、压缩成型来进行多品种少量的制造的高可靠性的无壳体结构的半导体装置及其制造方法。使脱离用片材(13)与具有凹状的孔(12)的铝板(11)的孔(12)紧密接合地配置,在该孔(12)中放入骨架状的半导体装置的结构体(14)。接着,将液状的环氧树脂(17)注入孔(12),将固化的内包有结构体(14)的环氧树脂体(10)从孔(12)中取出,以制造半导体装置(100)。使用简单的成型夹具(101)的一构成要素即铝板(11),以环氧树脂体(10)来覆盖结构物(14),从而能制造出高可靠性的无壳体结构的半导体装置(100)。
搜索关键词: 半导体 装置 及其 制造 方法
【主权项】:
一种半导体装置的制造方法,其特征在于,包括:将脱离用片材配置在形成于支承板的凹状的孔内部的工序;在所述凹状的孔中配置被环氧树脂覆盖前的骨架状的半导体装置即结构体的工序;向所述凹状的孔注入液状的环氧树脂的工序;使所述液状的环氧树脂固化,成为内包有所述结构体的固化后的环氧树脂体的工序;以及将所述固化后的环氧树脂体从配置有所述脱离用片材的所述凹状的孔中取出的工序。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于富士电机株式会社,未经富士电机株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410443248.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top