[发明专利]堆叠的保护装置及相关制造方法有效
申请号: | 201410443255.5 | 申请日: | 2014-09-02 |
公开(公告)号: | CN104465647B | 公开(公告)日: | 2019-06-14 |
发明(设计)人: | 陈伟泽;P·M·帕里斯 | 申请(专利权)人: | 恩智浦美国有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 刘倜 |
地址: | 美国得*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了堆叠保护装置及相关制造方法。提供了保护装置结构和相关制造方法及器件。示例的器件包括第一接口(102)、第二接口(104)、耦接到所述第一接口的第一保护电路装置(110)以及耦接到所述第一保护电路装置(110)和所述第二接口之间的第二保护电路装置(112)。所述第二保护电路装置包括第一晶体管和耦接到所述第一晶体管的二极管,其中所述第一晶体管和所述二极管被电串联地配置在所述第一保护电路装置和所述第二接口之间。 | ||
搜索关键词: | 堆叠 保护装置 相关 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种封装电子器件,包括:第一接口;第二接口;第一保护电路装置,耦接到所述第一接口;第二保护电路装置,耦接到所述第一保护电路装置和所述第二接口之间,所述第二保护电路装置包括:第一晶体管;以及二极管,其包括耦接到第一保护电路装置的阳极和耦接到所述第一晶体管的集电极的阴极,其中所述第一晶体管和所述二极管电串联地配置在所述第一保护电路装置和所述第二接口之间,二极管电串联地配置在第一保护电路装置和第一晶体管之间;其中所述第一保护电路装置包括:第二晶体管,耦接到所述第一接口;以及第三晶体管,串联电耦接在所述第二晶体管和所述二极管之间;其中二极管的阳极耦接到所述第三晶体管的发射极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于恩智浦美国有限公司,未经恩智浦美国有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410443255.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的