[发明专利]堆叠的保护装置及相关制造方法有效

专利信息
申请号: 201410443255.5 申请日: 2014-09-02
公开(公告)号: CN104465647B 公开(公告)日: 2019-06-14
发明(设计)人: 陈伟泽;P·M·帕里斯 申请(专利权)人: 恩智浦美国有限公司
主分类号: H01L27/02 分类号: H01L27/02
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 刘倜
地址: 美国得*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 发明公开了堆叠保护装置及相关制造方法。提供了保护装置结构和相关制造方法及器件。示例的器件包括第一接口(102)、第二接口(104)、耦接到所述第一接口的第一保护电路装置(110)以及耦接到所述第一保护电路装置(110)和所述第二接口之间的第二保护电路装置(112)。所述第二保护电路装置包括第一晶体管和耦接到所述第一晶体管的二极管,其中所述第一晶体管和所述二极管被电串联地配置在所述第一保护电路装置和所述第二接口之间。
搜索关键词: 堆叠 保护装置 相关 制造 方法
【主权项】:
1.一种封装电子器件,包括:第一接口;第二接口;第一保护电路装置,耦接到所述第一接口;第二保护电路装置,耦接到所述第一保护电路装置和所述第二接口之间,所述第二保护电路装置包括:第一晶体管;以及二极管,其包括耦接到第一保护电路装置的阳极和耦接到所述第一晶体管的集电极的阴极,其中所述第一晶体管和所述二极管电串联地配置在所述第一保护电路装置和所述第二接口之间,二极管电串联地配置在第一保护电路装置和第一晶体管之间;其中所述第一保护电路装置包括:第二晶体管,耦接到所述第一接口;以及第三晶体管,串联电耦接在所述第二晶体管和所述二极管之间;其中二极管的阳极耦接到所述第三晶体管的发射极。
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