[发明专利]多晶硅栅极的后处理方法、多晶硅栅极和静态随机存储器

摘要

本申请公开了一种多晶硅栅极的后处理方法、多晶硅栅极和静态随机存储器。该多晶硅栅极包括形成于衬底中NMOS有源区上的NMOS栅极和形成于PMOS有源区上的PMOS栅极，该后处理方法包括：对NMOS栅极进行碳和/或锗离子掺杂以形成掺杂区，掺杂区的表面与NMOS栅极中靠近NMOS有源区的表面相贴；对形成有掺杂区的NMOS栅极进行N型掺杂；对PMOS栅极进行P型掺杂。上述碳和/或锗离子会占据NMOS栅极中晶格间隙位置，从而提高掺杂区对NMOS栅极中N型离子的横向扩散的阻挡作用，减少进入到PMOS栅极中N型离子，进而减少PMOS栅极中由P型离子引入的空穴和N型离子引入的电子之间发生复合而产生的耗尽区。

主权项

一种多晶硅栅极的后处理方法，所述多晶硅栅极包括形成于衬底中NMOS有源区上的NMOS栅极和形成于所述衬底中PMOS有源区上的PMOS栅极，其特征在于，所述后处理方法包括：对所述NMOS栅极进行碳和/或锗离子掺杂以形成掺杂区，所述掺杂区的表面与所述NMOS栅极中靠近所述NMOS有源区的表面相贴；对形成有所述掺杂区的NMOS栅极进行N型掺杂，以在所述NMOS栅极中形成N型掺杂区；对所述PMOS栅极进行P型掺杂，以在所述PMOS栅极中形成P型掺杂区。