[发明专利]用于形成SRAM鳍部的掩膜版组件以及鳍部的制作方法有效
申请号: | 201410443536.0 | 申请日: | 2014-09-02 |
公开(公告)号: | CN105448699B | 公开(公告)日: | 2018-06-12 |
发明(设计)人: | 毛刚;张弓 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L21/308 | 分类号: | H01L21/308;H01L27/11;G03F1/26 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 吴贵明;张永明 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本申请公开了一种用于形成SRAM鳍部的掩膜版组件以及鳍部的制作方法。该掩膜版组件包括第一掩膜版和第二掩膜版,其中第一掩膜版包括至少两组第一图形单元,每组第一图形单元包括第一光阻挡区和第一光透过区;第二掩膜版包括与每组第一图形单元的位置对应设置的第二图形单元,每组第二图形单元包括第三光透过区和第三光阻挡区,其中,第一掩膜版还包括:第二光阻挡区,设置于相邻第一图形单元之间;第二光透过区,设置于相邻第一图形单元之间;第二掩膜版还包括:第四光透过区,与第二光阻挡区的位置对应设置;第四光阻挡区,设置于相邻第二图形单元之间,且位于第四光透过区的两侧。该掩膜版组件中图形的均匀性得以提高。 | ||
搜索关键词: | 掩膜版 图形单元 光透过 光阻挡 鳍部 组件包括 均匀性 两组 制作 申请 | ||
【主权项】:
一种用于形成SRAM鳍部的掩膜版组件,包括第一掩膜版和第二掩膜版,其中:所述第一掩膜版包括至少两组第一图形单元,每组所述第一图形单元包括多个平行设置的第一光阻挡区和相应地设置于相邻所述第一光阻挡区之间的多个第一光透过区;所述第二掩膜版包括与每组所述第一图形单元的位置对应设置的第二图形单元,每组所述第二图形单元包括多组第二图形子单元,每组所述第二图形子单元包括沿所述第一光透过区的延伸方向交替设置在与所述第一光透过区相对应的位置上的第三光透过区和第三光阻挡区,且每组所述第二图形子单元的两端分别延伸至与所述第一光透过区相邻的第一光阻挡区上,其特征在于,所述第一掩膜版还包括:第二光阻挡区,与所述第一光阻挡区平行地设置于相邻所述第一图形单元之间;第二光透过区,设置于相邻所述第一图形单元之间,且位于所述第二光阻挡区的两侧;所述第二掩膜版还包括:第四光透过区,与所述第二光阻挡区的位置对应设置,且所述第四光透过区的宽度大于所述第二光阻挡区的宽度;第四光阻挡区,设置于相邻所述第二图形单元之间,且位于所述第四光透过区的两侧。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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