[发明专利]使反应器中压强脉冲与射频调节协调的系统、方法及设备

摘要

本发明提供了使反应器中压强脉冲与射频调节协调的系统、方法及设备。具体而言，一种等离子体处理系统和方法包括处理室及包括在其中的等离子体处理体积。所述等离子体处理体积比所述处理室的体积小。所述等离子体处理体积由顶电极、与所述顶电极的表面相对的衬底支撑表面以及包括至少一个出口的等离子体约束结构限定。传导控制结构能活动地设置成靠近所述至少一个出口并且能控制流过所述至少一个出口的流出流在第一流率与第二流率之间，其中所述传导控制结构控制所述出口流率，并且至少一个射频源和至少一个工艺气体流率在等离子体处理期间与所述控制器所设置的选定的处理状态对应地进行调节。

主权项

一种等离子体处理系统，其包括：处理室；与所述处理室连接上的至少一种气源；连接到所述处理室和所述至少一种气源上的控制器；所述处理室包括：设置在所述处理室的顶部内的顶电极；设置成与所述顶电极相对的衬底支架；具有比所述处理室的体积小的体积的等离子体处理体积，所述等离子体处理体积由以下各项限定：所述顶电极的表面；所述衬底支架的与所述顶电极的所述表面相对的支撑面；以及由等离子体约束结构限定的外周，所述等离子体约束结构包括至少一个出口；与所述衬底支架或所述顶电极中的至少一个连接上的至少一个射频源；以及能活动地设置成靠近所述至少一个出口的传导控制结构，其中所述传导控制结构当设置在第一位置时限制流过所述至少一个出口的出口流为第一流率，并且其中所述传导控制结构当设置在第二位置时增大流过所述至少一个出口的出口流到第二流率，其中所述传导控制结构在等离子体处理期间与所述控制器所设置的选定的处理状态对应地在所述第一位置与所述第二位置之间移动，并且其中在所述等离子体处理期间与所述控制器所设置的所述选定的处理状态对应地调节所述至少一个射频源。