[发明专利]TFT背板结构及其制作方法

摘要

本发明提供一种TFT背板结构及其制作方法。该TFT背板结构具有开关TFT(T1)与驱动TFT(T2)，所述开关TFT(T1)由第一源\漏极(61)、第一栅极(21)及夹在二者之间的第一蚀刻阻挡层(51)、第一氧化物半导体层(41)与第一栅极绝缘层(31)构成，所述驱动TFT(T2)由第二源\漏极(62)、第二栅极(22)及夹在二者之间的第二蚀刻阻挡层(52)、第二氧化物半导体层(42)与第二栅极绝缘层(32)构成驱动TFT(T2)，所述第一栅极绝缘层(21)与第二栅极绝缘层(22)的材料不同或厚度不同，从而所述开关TFT(T1)与所述驱动TFT(T2)的电特性不同。

主权项

一种TFT背板结构，其特征在于，包括一基板(1)、位于该基板(1)上的相互间隔的第一栅极(21)与第二栅极(22)、位于所述基板(1)与第一栅极(21)上的第一栅极绝缘层(31)、位于所述基板(1)与第二栅极(22)上的第二栅极绝缘层(32)、于所述第一栅极(21)正上方位于所述第一栅极绝缘层(31)上的第一氧化物半导体层(41)、于所述第二栅极(22)正上方位于所述第二栅极绝缘层(32)上的第二氧化物半导体层(42)、位于所述第一氧化物半导体层(41)上的第一蚀刻阻挡层(51)、位于所述第二氧化物半导体层(42)上的第二蚀刻阻挡层(52)、位于所述第一栅极绝缘层(31)与第一蚀刻阻挡层(51)上的第一源\漏极(61)、位于所述第二栅极绝缘层(32)与第二蚀刻阻挡层(52)上的第二源\漏极(62)、位于所述第一、第二源\漏极(61、62)上的保护层(7)、及位于所述保护层(7)上的像素电极(8)；所述第一源\漏极(61)搭接第一氧化物半导体层(41)与第二栅极(22)，所述第二源\漏极(62)搭接第二氧化物半导体层(42)，所述像素电极(8)搭接所述第二源\漏极(62)；所述第一源\漏极(61)、第一栅极(21)及夹在二者之间的第一蚀刻阻挡层(51)、第一氧化物半导体层(41)与第一栅极绝缘层(31)构成开关TFT(T1)，所述第二源\漏极(62)、第二栅极(22)及夹在二者之间的第二蚀刻阻挡层(52)、第二氧化物半导体层(42)与第二栅极绝缘层(32)构成驱动TFT(T2)，所述第一栅极绝缘层(21)与第二栅极绝缘层(22)构造不同，从而所述开关TFT(T1)与所述驱动TFT(T2)的电特性不同。