[发明专利]连续制备高硅钢片的方法及连铸装置有效

专利信息
申请号: 201410444492.3 申请日: 2014-09-03
公开(公告)号: CN104259410B 公开(公告)日: 2017-09-26
发明(设计)人: 钟云波;刘春梅;龙琼;王怀;郑天祥;吴惠兴;方怡鹏;石亚杰 申请(专利权)人: 上海大学
主分类号: B22D11/06 分类号: B22D11/06;B22D11/115
代理公司: 上海上大专利事务所(普通合伙)31205 代理人: 何文欣
地址: 200444*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种连续制备高硅钢片的方法和连铸装置,将纯铁粉和硅粉以一定质量百分比放入熔池中进行合金熔配,整个过程中熔池都处在磁轭线圈产生的强磁场区域中,待合金熔化并混合均匀后,通过上方高速旋转的带齿的水冷铜盘实现快速冷却形成高硅钢薄带,并通过斜上方处气刀将薄片吹开并从铜盘上可靠剥离,从而达到直接提取法制备高硅钢片的目的,从铜盘上剥离出来的高硅钢片将进入下面配置有软垫或气垫的收集室中。通过控制水冷铜盘齿面与合金熔体的浸入深度、水冷铜盘的冷却水流量、水冷铜盘的旋转速度以及外加强静磁场的磁场强度,可以控制硅钢片的厚度和内部及表面质量。通过控制水冷铜盘齿面尺寸来控制高硅钢片的宽度和长度。
搜索关键词: 连续 制备 硅钢片 方法 装置
【主权项】:
一种连续制备高硅钢片的方法,其特征在于,包括以下步骤:a.在坩埚中盛载金属熔池,控制金属熔池中的金属液的硅含量在3‑20wt.%,使金属熔池的温度控制在1500‑1650℃之间,以设定速率不断向坩埚中的金属熔池中输入原料,使在坩埚内的金属熔池表面平稳,并保持在坩埚内的金属熔池液面高度稳定;b.向上述步骤a中形成的金属熔池施加强磁场,使磁场方向竖直向下,且垂直于金属熔池表面,并使所述强磁场的匀强区中心线与金属熔池的竖直中心轴重合,或者使所述强磁场的匀强区中心线与水冷铜盘的轴线相交,使坩埚中形成稳定的金属熔液,通过在金属熔池上方设置高速旋转的带齿的水冷铜盘,水冷铜盘的轮齿与金属熔液接触的深度连续精确调整,使水冷铜盘外圆齿顶面蘸取金属熔池中的浅层的液态金属,使液态金属平整地附着在水冷铜盘外圆齿顶面上,从而形成间断的非晶薄带,使水冷铜盘外圆齿顶面上的非晶薄带实现快速冷却形成分段的高硅钢薄片;c.在沿着水冷铜盘的齿顶圆面的斜上切面方向的位置处设置气刀,然后通过斜上方处的气刀将在上述步骤b中的水冷铜盘外圆齿顶面上的高硅钢薄片依次吹开,并使高硅钢薄片从水冷铜盘外圆齿顶面上剥离开,最后使从水冷铜盘外圆齿顶面上吹落下来的高硅钢薄片依靠高硅钢薄片的惯性运动落入预先设置的配置有软垫或气垫的收集室中,从而收集得到高硅钢片制品。
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