[发明专利]氧化物半导体TFT基板的制作方法及结构

摘要

本发明提供一种氧化物半导体TFT基板的制作方法及结构，通过采用氧化物导体层来定义氧化物半导体TFT基板的沟道，由于该氧化物导体层较薄，与现有技术相比，所述沟道的宽度可以制作得较小，并且沟道宽度可以得到准确控制，因此降低了氧化物半导体TFT基板的制程难度，提升了氧化物半导体TFT基板的性能，提高生产良率。本发明制得的氧化物半导体TFT基板结构中，由于氧化物导体层与氧化物半导体层结构组成类似，因此可形成良好的欧姆接触；氧化物导体层不会给氧化物半导体层造成金属离子污染；由于氧化物导体层是透明的，因此可提高开口率。

主权项

一种氧化物半导体TFT基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、提供一基板(1)，在该基板(1)上沉积并图案化氧化物导体层，得到具有沟道(51)的氧化物导体层(5)；步骤2、在所述氧化物导体层(5)上沉积并图案化氧化物半导体层，得到氧化物半导体层(6)；步骤3、在所述氧化物半导体层(6)上沉积第一绝缘层(3)；步骤4、在所述第一绝缘层(3)上沉积并图案化第一金属层，形成栅极(2)；步骤5、在所述栅极(2)上沉积第二绝缘层(31)；步骤6、对所述第一绝缘层(3)与第二绝缘层(31)同时进行图案化处理，得到过孔(32)、(33)；步骤7、在所述第二绝缘层(31)上形成源极(52)与漏极(4)；所述氧化物导体层(5)为ITO或IZO，所述氧化物导体层(5)的厚度小于漏极(4)的厚度。