[发明专利]半导体组件及制造方法

摘要

本发明为半导体组件及制造方法。提出了一种单片集成半导体组件。该半导体组件包括具有碳化硅(SiC)的衬底，和在衬底上制造的氮化镓(GaN)半导体器件。该半导体组件还包括制造在衬底中或衬底上的至少一个瞬态电压抑制器(TVS)结构，其中TVS结构与GaN半导体器件电接触。该TVS结构被配置成当跨GaN半导体器件施加的电压大于阈值电压时，在击穿模式、雪崩模式或其组合模式下操作。还提出了一种制造单片集成半导体组件的方法。

主权项

一种单片集成的半导体组件，包括：包括碳化硅SiC的衬底；制造在所述衬底上的氮化镓GaN半导体器件；和制造在所述衬底中或所述衬底上的至少一个瞬态电压抑制器TVS结构，其中所述TVS结构与所述GaN半导体器件电接触，并且其中所述TVS结构被配置成当跨所述GaN半导体器件施加的电压大于阈值电压时，在击穿模式下操作；其中所述TVS结构包括：具有第一导电类型的第一半导体区；具有第二导电类型且与所述第一半导体区电接触的第二半导体区；和具有第一导电类型且与所述第二半导体区电接触的第三半导体区。