[发明专利]外延装置和外延过程中外延层的测量方法有效
申请号: | 201410445791.9 | 申请日: | 2014-09-03 |
公开(公告)号: | CN105470155B | 公开(公告)日: | 2018-08-24 |
发明(设计)人: | 方浩;马志芳;吴军 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 张大威 |
地址: | 100176 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提出一种外延装置和外延过程中外延层的测量方法。其中,该装置包括:反应腔;设置在反应腔之上的观察窗;设置在反应腔内的托盘,托盘上承载有晶圆;光纤式傅里叶红外光谱分析仪,光纤式傅里叶红外光谱分析仪具有光纤,光纤的一端与观察窗对应,光纤用于发射红外光线,并通过观察窗将红外光线照射至晶圆,以及通过观察窗接收晶圆反射的反射光,光纤式傅里叶红外光谱分析仪用于根据反射光检测晶圆的外延层厚度。本发明实施例的外延装置,可以对外延过程进行实时指导,使得外延过程变得更加可控,大幅提高了外延过程中生产产品的良品率,有效避免了因工艺参数选择不当带来的废品,同时有利于提高外延过程中原材料的利用率和外延装置的产量。 | ||
搜索关键词: | 外延 装置 过程 测量方法 | ||
【主权项】:
1.一种外延装置,其特征在于,包括:反应腔;设置在所述反应腔之上的观察窗;设置在所述反应腔内的托盘,所述托盘上承载有晶圆;光纤式傅里叶红外光谱分析仪,所述光纤式傅里叶红外光谱分析仪具有光纤,所述光纤的一端与所述观察窗对应,所述光纤用于发射红外光线,并通过所述观察窗将所述红外光线照射至所述晶圆,以及通过所述观察窗接收所述晶圆反射的反射光,所述光纤式傅里叶红外光谱分析仪用于根据所述反射光检测所述晶圆的外延层厚度;与所述光纤式傅里叶红外光谱分析仪通信的上位机,所述上位机具有存储器和显示器,当所述上位机接收到所述光纤式傅里叶红外光谱分析仪发送的所述晶圆的外延层厚度时,将所述晶圆的外延层厚度存储在存储器中,同时在显示器中显示所述晶圆的外延层厚度;所述上位机,还用于根据所述光纤式傅里叶红外光谱分析仪不同观测时间点采集的所述晶圆的外延层厚度计算所述晶圆的平均生长速率,以将所述晶圆的平均生长速率以及生长速率随时间变化的曲线数据存储在所述存储器中,同时以曲线图形的形式在所述显示器中显示。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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