[发明专利]晶圆结构及其减薄方法在审
| 申请号： | 201410445829.2 | 申请日： | 2014-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN105390408A | 公开（公告）日： | 2016-03-09 |
| 发明（设计）人： | 侯元琨;游宽结 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L25/00;B81C3/00;B81B7/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 应战;骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种晶圆结构及其减薄方法，其中晶圆结构的减薄方法，包括：提供第一晶圆，所述第一晶圆具有有效区域和无效区域，所述无效区域位于第一晶圆的边缘；提供第二晶圆，所述第二晶圆具有第一表面和与第一表面相对的第二表面；在所述第二晶圆的第一表面形成连接结构，所述连接结构的位置与所述有效区域对应；在所述第二晶圆的第一表面的边缘区域形成支撑结构，所述支撑结构的位置与所述无效区域对应；利用连接结构和支撑结构将所述第一晶圆和第二晶圆键合；沿所述第二表面对所述第二晶圆进行减薄。通过在第二晶圆边缘形成支撑结构，为第二晶圆边缘部分提供支撑力，避免该部分在第二晶圆减薄过程中受力不均而断裂破损，提高了产品的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 结构 及其 方法 | ||
【主权项】：
一种晶圆结构的减薄方法，其特征在于，包括：提供第一晶圆，所述第一晶圆具有有效区域和无效区域，所述无效区域位于第一晶圆的边缘；提供第二晶圆，所述第二晶圆具有第一表面和与第一表面相对的第二表面；在所述第二晶圆的第一表面形成连接结构，所述连接结构的位置与所述有效区域对应；在所述第二晶圆的第一表面的边缘区域形成支撑结构，所述支撑结构的位置与所述无效区域对应；利用连接结构和支撑结构将所述第一晶圆和第二晶圆键合；沿所述第二表面对所述第二晶圆进行减薄。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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