[发明专利]一种快速可控制备Mg-Si-Sn基热电材料的方法有效
申请号: | 201410446023.5 | 申请日: | 2014-09-03 |
公开(公告)号: | CN104232960B | 公开(公告)日: | 2017-01-04 |
发明(设计)人: | 唐新峰;尹康;邱思源;张强;鄢永高;苏贤礼 | 申请(专利权)人: | 武汉理工大学 |
主分类号: | C22C1/04 | 分类号: | C22C1/04;C22C23/00 |
代理公司: | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司42102 | 代理人: | 唐万荣,张秋燕 |
地址: | 430070 湖*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明涉及一种快速可控制备Mg‑Si‑Sn基热电材料的方法,包含以下步骤:1)配料压片:在惰性气体保护下,按化学式Mg2(1+z)Si1‑xSnxSby(0≤z≤0.12,0≤x≤1.0,0≤y≤0.025)中各元素的化学计量比称取Mg粉、Mg2Si粉、Sn粉及Sb粉作为原料,混合均匀压制成块体;2)所得块体真空密封后,加热到823–833K,保温5‑10min,随炉冷却;3)步骤2)所得产物在惰性气体保护下研成粉末,进行放电等离子活化烧结,即可得到高性能的Mg‑Si‑Sn基热电材料。本发明具有工艺简单、能耗低、制备周期短、重复性好、得到的块体材料热电性能优异等特点。 | ||
搜索关键词: | 一种 快速 可控 制备 mg si sn 热电 材料 方法 | ||
【主权项】:
一种快速可控制备Mg‑Si‑Sn基热电材料的方法,其特征在于包含以下步骤:1)配料压片:在惰性气体保护下,按化学式Mg2(1+z)Si1‑xSnxSby(0≤z≤0.12,0≤x≤1.0,0≤y≤0.025)中各元素的化学计量比称取Mg粉、Mg2Si粉、Sn粉及Sb粉作为原料,然后混合均匀压制成块体;2)一步固相反应:将步骤1)所得块体真空密封,然后升温到823‑833K,保温5‑10min,随炉冷却至室温;3)放电等离子活化烧结:将步骤2)所得产物在惰性气体保护下研成粉末,然后进行放电等离子活化烧结,即可得到高性能的Mg‑Si‑Sn基热电材料。
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