[发明专利]背侧照明式单光子雪崩二极管及包括其的成像传感器系统

摘要

本申请案涉及一种背侧照明式单光子雪崩二极管及一种包括其的成像传感器系统。一种单光子雪崩二极管SPAD包含安置于第一半导体层中的经n掺杂外延层。经p掺杂外延层在所述经n掺杂外延层上面在所述第一半导体层的背侧上。倍增结界定于所述经n掺杂外延层与所述经p掺杂外延层之间的界面处。倍增结经反向偏置到击穿电压以上以使得通过所述第一半导体层的所述背侧接收的光子在所述倍增结中触发雪崩倍增过程。经p‑掺杂护环区域植入于所述经n掺杂外延层中环绕所述倍增结。

主权项

一种单光子雪崩二极管SPAD，其包括：经n掺杂外延层，其安置于第一半导体层中；经p掺杂外延层，其形成于所述经n掺杂外延层上方在所述第一半导体层的背侧上，其中所述经p掺杂外延层覆盖所述第一半导体层的整个所述背侧；倍增结，其界定于所述经n掺杂外延层与所述经p掺杂外延层之间的界面处，其中倍增结经反向偏置到击穿电压以上以使得通过所述第一半导体层的所述背侧接收的光子在所述倍增结中触发雪崩倍增过程；及经p‑掺杂护环区域，其植入于所述经n掺杂外延层中环绕所述倍增结，其中所述经p掺杂外延层从所述第一半导体层的所述背侧覆盖整个所述经p‑掺杂护环区域。