[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 201410446750.1 | 申请日： | 2014-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN104518029A | 公开（公告）日： | 2015-04-15 |
| 发明（设计）人： | 李宪福;吕寅虎;吴世春;李硕均;李政浩 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/105;H01L29/10;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 王波波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 半导体器件可以包括按照分离栅极结构设置在半导体衬底中的第一和第二垂直沟道功率MOSFET晶体管。可以在有源区中第一和第二垂直沟道功率MOSFET晶体管之间形成凹槽，导电图案可以位于有源区上凹槽中，其中导电图案可以包括用于第一和第二垂直沟道功率MOSFET晶体管的源极接触。垂直肖特基半导体区可以嵌入到垂直沟道之间导电图案下方的有源区中。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：半导体衬底；外延半导体层，设置在半导体衬底上；沟槽，设置在外延半导体层中，在沟槽之间限定有源区；凹槽区，设置在有源区的上表面中，并且分离有源区的第一和第二有源突出部；栅极结构，设置在每一个沟槽中；凹槽区中的前侧导电图案；第一导电类型漂移区、第一和第二体沟道区以及第一和第二源极区，配置为与栅极结构形成晶体管，其中第一导电类型漂移区设置在外延半导体层的有源区中，其中第一和第二体沟道区具有与第一导电类型不同的第二导电类型并且彼此间隔开，以及其中第一和第二源极区具有第一导电类型并且在凹槽区的相对侧上彼此间隔开；以及肖特基半导体区，具有第一导电类型，且设置在第一和第二体沟道区之间以及凹槽区的底面下方的有源区中，并且与前侧导电图案构成肖特基二极管。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社;，未经三星电子株式会社;许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410446750.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：太阳能电池及其制造方法
- 下一篇：半导体器件及其制造方法
- 同类专利
- 专利分类
