[发明专利]晶圆键合方法有效
| 申请号： | 201410446753.5 | 申请日： | 2014-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN105470153B | 公开（公告）日： | 2018-03-06 |
| 发明（设计）人： | 侯元琨 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/603 | 分类号： | H01L21/603 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 应战,骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种晶圆键合方法，包括提供第一晶圆和第二晶圆，所述第一晶圆具有第一表面，所述第二晶圆具有第二表面，所述第一表面与第二表面具有若干对应的键合区；固定第一晶圆和第二晶圆，使第一表面和第二表面面对面平行且间隔预定距离；加热第一晶圆和第二晶圆至第一温度，并使第一晶圆和第二晶圆保持第一温度；将第一晶圆和第二晶圆降温至第二温度；在所述第二温度下移动第一晶圆和第二晶圆直至第一表面和第二表面贴合，第一表面和第二表面上对应的键合区对准；在所述第二温度下，键合连接第一表面和第二表面上的对应键合区。先过载加热晶圆以排除表面挥发气体，再降低温度进行晶圆键合连接，避免连接表面键合区相互剥离，产品失效。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆键合 方法 | ||
【主权项】：
一种晶圆键合方法，其特征在于，包括：提供第一晶圆和第二晶圆，所述第一晶圆具有第一表面，所述第二晶圆具有第二表面，所述第一表面与第二表面具有若干对应的键合区；固定第一晶圆和第二晶圆，使第一表面和第二表面面对面平行且间隔预定距离；加热第一晶圆和第二晶圆至第一温度，并使第一晶圆和第二晶圆保持第一温度；将第一晶圆和第二晶圆降温至第二温度；在所述第二温度下移动第一晶圆和第二晶圆直至第一表面和第二表面贴合，第一表面和第二表面上对应的键合区对准；在所述第二温度下，键合连接第一表面和第二表面上的对应键合区，使第一晶圆和第二晶圆相互连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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