[发明专利]改良黑电平校准的图像传感器在审
| 申请号： | 201410447129.7 | 申请日： | 2014-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN104184969A | 公开（公告）日： | 2014-12-03 |
| 发明（设计）人： | 郭同辉;旷章曲 | 申请（专利权）人： | 北京思比科微电子技术股份有限公司 |
| 主分类号： | H04N5/374 | 分类号： | H04N5/374;H04N5/3745;H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京凯特来知识产权代理有限公司 11260 | 代理人： | 郑立明;赵镇勇 |
| 地址： | 100085 北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种改良黑电平校准的图像传感器，包含感光像素阵列和遮光像素阵列，遮光像素阵列中包含抽取半导体基体中溢出电荷的像素和黑电平校准像素，抽取半导体基体中溢出电荷的像素位于感光像素阵列与黑电平校准像素之间，将感光像素阵列与黑电平校准像素隔离开。黑电平校准像素所采集的是真实的无光信号，能够避免黑电平像素受到半导体基体中溢出的电荷的干扰，进而提升了图像传感器黑电平校准的准确性，提高图像传感器所采集到的图像质量。 | ||
| 搜索关键词： | 改良 电平 校准 图像传感器 | ||
【主权项】：
一种改良黑电平校准的图像传感器，包含感光像素阵列和遮光像素阵列，其特征在于，所述遮光像素阵列中包含抽取半导体基体中溢出电荷的像素和黑电平校准像素，所述抽取半导体基体中溢出电荷的像素位于所述感光像素阵列与所述黑电平校准像素之间，将所述感光像素阵列与所述黑电平校准像素隔离开。
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