[发明专利]借助弹性材料泊松比提高碳纳米管平行阵列密度的方法有效
| 申请号： | 201410447621.4 | 申请日： | 2014-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN104229770A | 公开（公告）日： | 2014-12-24 |
| 发明（设计）人： | 司佳;张志勇;彭练矛 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | C01B31/02 | 分类号： | C01B31/02;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙) 11200 | 代理人： | 俞达成 |
| 地址： | 100871 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种借助弹性材料泊松比提高碳纳米管平行阵列密度的方法。首先将基片片上生长的碳纳米管平行阵列，转移到弹性材料上，如聚甲基丙烯酸甲酯、硅橡胶或聚酯等其他弹性材料；接着沿着碳纳米管延伸的方向拉伸所述的弹性材料，使其在垂直于碳纳米管延伸方向上发生收缩，从而获得高密度碳纳米管；最后将该膜上的碳纳米管平行阵列转移到目标基片上。本发明的方法简单实用，效率高，成本低，可制得高密度高质量的纯半导体性碳纳米管平行阵列。 | ||
| 搜索关键词： | 借助 弹性 材料 泊松比 提高 纳米 平行 阵列 密度 方法 | ||
【主权项】：
一种借助弹性材料泊松比提高碳纳米管平行阵列密度的方法，包括以下步骤：1)将基底上生长的碳纳米管转移到弹性材料上，得到碳纳米管‑弹性材料复合结构；2)沿着碳纳米管延伸的方向拉伸所述的弹性材料，使其在垂直于碳纳米管延伸方向上发生收缩；3)将收缩后的弹性材料上的碳纳米管转移到目标基片上。
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