[发明专利]一种有机单晶场效应晶体管及其制备方法

摘要

本发明提供一种有机单晶场效应晶体管及其制备方法。所述有机单晶场效应晶体管的源电极和漏电极均由CuTCNQ一维纳米结构制成，所述有机场效应晶体管的有机半导体由9,10-二(苯乙炔基)蒽(BEPA)单晶构成。本发明有机场效应晶体管器件的制作方法都比较简便，制作周期较短通常只需一个小时左右，采用的电极材料成本比较低廉，同时能大量获取。所述结构中，源漏电极以及半导体材料均为有机单晶材料，提供了新颖的有机单晶场效应晶体管的构型，同时器件性能与文献报道的以金薄膜电极作为源漏电极的器件性能相当。

主权项

一种有机单晶场效应晶体管，自下而上依次包括：衬底、设于所述衬底上的有机半导体，以及垂直设于所述有机半导体之上的源电极和漏电极，其特征在于：所述源电极和漏电极均由金属电荷转移复合物制成；所述金属电荷转移复合物为铜－7,7,8,8‑四氰基对苯二醌二甲烷配合物。