[发明专利]鳍式场效应晶体管及其鳍的制造方法在审
| 申请号： | 201410449649.1 | 申请日： | 2014-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN105448735A | 公开（公告）日： | 2016-03-30 |
| 发明（设计）人： | 赵治国;朱慧珑;殷华湘;钟汇才 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/308 |
| 代理公司： | 北京维澳专利代理有限公司 11252 | 代理人： | 党丽;逢京喜 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种鳍式场效应晶体管的鳍的制造方法，包括步骤：提供衬底；在衬底上形成图案化的初始掩膜，该初始掩膜为第一结构；形成N次侧墙掩膜，每次形成侧墙掩膜的步骤包括：在第n结构的侧壁上形成第n侧墙掩膜，获得第n+1结构，n从1至N，N≥1；选择性地间隔去除上述掩膜；以剩余的掩膜为掩蔽，刻蚀衬底以形成鳍。本发明的方法，可以通过侧墙掩膜的厚度来控制鳍的宽度和间隔，并通过选择性刻蚀形成最终掩膜，易于形成高密度的鳍的掩膜，从而提高鳍的集成度，进而提高器件的集成度。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种鳍式场效应晶体管的鳍的制造方法，其特征在于，包括步骤：提供衬底；在衬底上形成图案化的初始掩膜，该初始掩膜为第一结构；形成N次侧墙掩膜，每次形成侧墙掩膜的步骤包括：在第n结构的侧壁上形成第n侧墙掩膜，获得第n+1结构，n从1至N，N≥1；选择性地间隔去除上述掩膜；以剩余的掩膜为掩蔽，刻蚀衬底以形成鳍。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
