[发明专利]一种优化晶体硅太阳能电池PN结的方法

摘要

本发明公开了一种优化晶体硅太阳能电池PN结的方法，步骤如下：扩散；酸溶液对PN结腐蚀：将扩散后的硅片置于化学清洗机台中，采用HNO3、HF和DI水的混合溶液对硅片进行腐蚀，所述HNO3∶HF∶DI水的体积比为10∶1∶100,反应时间为20～60s；PN结碱溶液处理:由于酸性腐蚀液对硅片进行酸性腐蚀时，表面会产生薄多孔硅层，需采用KOH和DI水的混合溶液对其清洗，所述KOH∶DI水的体积比为5∶100,反应时间为20～60s；清洗；刻蚀；PECVD；丝网印刷；烧结测试。本发明在减反射层上叠加了透明导电膜层，能使复合膜层的减反射效果更佳，提升太阳电池的短路电流，提高电池效率。

主权项

一种优化晶体硅太阳能电池PN结的方法，其特征在于，具体步骤如下：（1）扩散：用于晶体硅太阳能电池制造的单晶或多晶硅片，在对硅片进行表面去损伤和制绒，采用管式扩散炉进行扩散，其方阻控制为60～80 Ω/□；（2）酸溶液对PN结腐蚀：将扩散后的硅片置于化学清洗机台中，采用酸性腐蚀液对硅片进行腐蚀，所述的酸性腐蚀液为HNO3、HF和DI水的混合溶液，所述HNO3∶HF∶DI水的体积比为10∶1∶100, 反应时间为20～60s；（3）PN结碱溶液处理: 由于酸性腐蚀液对硅片进行酸性腐蚀时，表面会产生薄多孔硅层，因此需将酸洗后的硅片置于化学清洗机台中，采用KOH和DI水的混合溶液对其清洗，所述KOH∶DI水的体积比为5∶100, 反应时间为20～60s；（4）清洗：最后再用DI水对硅片进行清洗，去除酸性和碱性溶液，其PN结发射区方阻将上升至85～100Ω/□，然后继续进行刻蚀、PECVD、丝网印刷和烧结测试工艺。